無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376解決方案：
?低溫?zé)Y(jié)工藝：在180℃下形成致密銀層，密度接近理論值（10.5 g/cm3），孔隙率<2%。
?高導(dǎo)電性：電阻率低至1.6 μΩ·cm，支持高頻信號(hào)傳輸（帶寬提升30%）。
假設(shè)?案例：用于NVIDIA的H100 GPU 3D堆疊，互連密度達(dá)10?/cm2，功耗降低15%。

燒結(jié)銀AS9376用于激光雷達(dá)光學(xué)模組集成
?技術(shù)挑戰(zhàn)：
需將硅光芯片與光學(xué)元件無(wú)損互連，避免傳統(tǒng)焊接導(dǎo)致的界面反射損失。
?AS9376解決方案：
?納米級(jí)漿料：粒徑20-50 nm銀粉實(shí)現(xiàn)超薄互連層（厚度≤1 μm），插入損耗<0.1 dB。
?低溫工藝兼容：與UV固化工藝結(jié)合，避免高溫對(duì)光學(xué)元件的損傷。
假設(shè)?案例：Lumentum相干光引擎采用AS9376集成硅光芯片與光纖陣列，帶寬提升至1.6 Tbps。

燒結(jié)銀AS9376的長(zhǎng)期穩(wěn)定性：
抗離子遷移設(shè)計(jì)（添加Al?O?納米顆粒）使85℃/85%RH下電阻漂移率<5%/1000小時(shí)。
?成本效益：
銀包銅替代方案（Cu含量≤10%）可降低銀用量30%，材料成本下降25%。

善仁（浙江）新材料科技有限公司主營(yíng)：燒結(jié)銀膏,無(wú)壓納米燒結(jié)銀膏,納米燒結(jié)銀膏,納米銀膏，提供無(wú)壓納米燒結(jié)銀膏日本燒結(jié)銀替代，公司一直堅(jiān)持以人為本、誠(chéng)信立業(yè)的理念，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的無(wú)壓納米燒結(jié)銀膏日本燒結(jié)銀替代服務(wù)，由于產(chǎn)品規(guī)格不同，價(jià)格也有所不同，如有需求請(qǐng)與我電話溝通，以免給您造成不必要的損失。

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