- 信息報(bào)價(jià)
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43210.00元銅管回收廠家直接上門回收價(jià)格高、銅板回收量大從優(yōu)、銅削回收多少錢一斤、銅線回收價(jià)格高聯(lián)系盛利公司我們有著很多成功的回收案例,也在這方面積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)。公司秉承“誠信、09月15日
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1500000.00元Ta2O5(氧化鉭)薄膜的光譜透過波段為0.3~10um,是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有極高的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件下,對鹽酸、及“王水”都..09月15日
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1500000.00元制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強(qiáng)的實(shí)用價(jià)值,已引起人們的密切關(guān)注。Ta2O5(氧化鉭)薄膜的光譜透過波段為0.3~10um,是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。五氧化二鉭靶材----..09月15日
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1500000.00元鉭磁控濺射靶材所具有的特性,使它的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊中國鉭工業(yè)始于20世紀(jì)60年代 。中國初期鉭冶煉、加工生產(chǎn)規(guī)模、技術(shù)水平、產(chǎn)品檔次和質(zhì)量狀況與發(fā)達(dá)國家比較相差甚遠(yuǎn)。自90年代,特別是1..09月15日
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1500000.00元鉭在單質(zhì)中,僅次于碳,鎢,錸和鋨,位居第五。鉭富有延展性,可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。每升高一攝氏度只膨脹百萬分之六點(diǎn)六。除此之外,它的韌性很強(qiáng),比銅還要優(yōu)異。冶煉方..09月15日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月15日
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1500000.00元五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭(Ta2O5)為白色無色結(jié)晶粉末,是鉭常見的氧化物,也是鉭在空氣中燃燒生成的終產(chǎn)物。主要用作拉鉭酸鋰單晶和制造高折射..09月15日
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1500000.00元Ta2O5(氧化鉭)薄膜的光譜透過波段為0.3~10um,是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有極高的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件下,對鹽酸、及“王水”都..09月15日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月15日
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1500000.00元五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭(Ta2O5)為白色無色結(jié)晶粉末,是鉭常見的氧化物,也是鉭在空氣中燃燒生成的終產(chǎn)物。主要用作拉鉭酸鋰單晶和制造高折射..09月15日
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1500000.00元Ta2O5(氧化鉭)薄膜的光譜透過波段為0.3~10um,是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。但鉭在熱的中能被腐蝕,在150℃以下,鉭不會(huì)被腐蝕,只有在高于此溫度才會(huì)有反應(yīng),在175度的中1..09月15日
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1500000.00元但鉭在熱的中能被腐蝕,在150℃以下,鉭不會(huì)被腐蝕,只有在高于此溫度才會(huì)有反應(yīng),在175度的中1年,被腐蝕的厚度為0.0004毫米,將鉭放入200℃的硫酸中浸泡一年,表層僅損傷0.006毫米鉭還有非常..09月15日
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1500000.00元Ta2O5(氧化鉭)薄膜的光譜透過波段為0.3~10um,是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭(Ta2O5)為白色無色結(jié)..09月15日
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1500000.00元五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭(Ta2O5)為白色無色結(jié)晶粉末,是鉭常見的氧化物,也是鉭在空氣中燃燒生成的終產(chǎn)物。主要用作拉鉭酸鋰單晶和制造高折射..09月15日
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1500000.00元鉭 Ta,金屬元素,主要存在于鉭鐵礦中,同鈮共生。鉭的硬度適中,富有延展性,可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。鉭有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有極高的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件..09月15日
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1500000.00元驗(yàn),鉭在常溫下,對堿溶液、、溴水、稀硫酸以及其他許多藥劑均不起作用,僅在氫氟酸和熱作用下有所反應(yīng)。這樣的情況在金屬中是比較罕見的。廢鉭的主要礦物有:鉭鐵礦[(Fe,Mn)(Ta,Nb)2O6]、重..09月15日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月15日
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1500000.00元鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有極高的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件下,對鹽酸、及“王水”都不反應(yīng)。冶煉方法:鉭鈮礦中常伴有多種金屬,鉭冶煉的主要步驟是分解精礦,凈化和分離鉭、鈮,以..09月15日
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1500000.00元五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭(Ta2O5)為白色無色結(jié)晶粉末,是鉭常見的氧化物,也是鉭在空氣中燃燒生成的終產(chǎn)物。主要用作拉鉭酸鋰單晶和制造高折射..09月15日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月15日
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