氮化硅陶瓷球公司<br>

通過(guò)控制成孔劑的加入量和調(diào)節(jié)成孔劑的粒徑可達(dá)到Si3N4陶 瓷的氣孔率和孔徑可控的目的 通過(guò)調(diào)整成孔劑的含量，制備出具有高氣孔率和低介電常 數(shù)的多孔Si3N4陶瓷，低介電常數(shù)值為2.4297 隨著成孔劑加入量的增加，樣品的氣孔率增加，氮化后樣品中的α-Si3N4物相增多，游離硅含量降低，樣品的ε′和tanδ都相應(yīng)降低 成孔劑粒徑越大，反應(yīng)燒結(jié)后多孔Si3N4 燒結(jié)體的孔徑就 越大，樣品的ε′和tanδ 就都有不同幅度的下降<br>

































































可由硅粉在氮?dú)庵屑訜峄螓u化硅與氨反應(yīng)而制得<br>

燒結(jié)氮化硅,其熱膨脹系數(shù)較低,為2.53×10-6/℃,導(dǎo)熱率為?18.42?W/m·K,因此它具有優(yōu)良的抗熱震性能,僅次于石英和微晶玻璃,有實(shí)驗(yàn)報(bào)告說(shuō)明密度為2500kg/m3的反應(yīng)燒結(jié)氮化硅試樣由1200℃冷卻至20℃熱循環(huán)上千次，仍然不破裂，氮化硅陶瓷的熱穩(wěn)定性好，可在高溫中長(zhǎng)期使用<br>





















































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而15%AT氧化鋁陶瓷的熱膨脹系數(shù)小,說(shuō)明這種陶瓷內(nèi)部由鈦酸鋁冷卻過(guò)程中產(chǎn) 生的微裂紋多,吸收該陶瓷晶粒正膨脹作用大測(cè)溫范圍擴(kuò)大到10°C～750°C時(shí),15%AT陶瓷的熱膨脹系數(shù)高,10%AT陶瓷的熱膨脹系數(shù)低,其機(jī)理有待于進(jìn)一步深入研究<br>

氮化硅熔點(diǎn)1900℃<br>








































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基于復(fù)合梁理論，改進(jìn)了傳統(tǒng)的雙面涂層彎曲試樣，采用三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)測(cè)量了一種商業(yè)鐵基陶瓷涂層（>/((.）的彈性模量還介紹測(cè)量涂層界面斷裂韌度的四點(diǎn)彎曲法、改進(jìn)的拉伸法以及局部法在界面強(qiáng)度評(píng)定中的應(yīng)用<br>
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