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NCE4080KNCEN通道增強(qiáng)模式電源MOSFET規(guī)格書(shū)

更新時(shí)間：2021-12-09 信息編號(hào)：fe31n2e2485940
NCE4080KNCEN通道增強(qiáng)模式電源MOSFET規(guī)格書(shū)

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NCE4080KNCEN通道增強(qiáng)模式電源MOSFET規(guī)格書(shū)

產(chǎn)品別名
N通道MOS,低柵極充電,電源管理IC,MOS IC
面向地區(qū)
品牌
新潔能
用途
驅(qū)動(dòng)IC
封裝
TO-252
功率
10w
型號(hào)
SMD
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NCE4080K采用的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供的RDS(ON)與低柵極充電。它可以用于廣泛的應(yīng)用。一般功能●VDS=40V，ID=80ARDS（開(kāi)）<7mΩ@VGS=10V●高密度電池設(shè)計(jì)Rdson●完全特征雪崩電壓和電流●良好的穩(wěn)定性和均勻性高EAS●良好的包裝散熱應(yīng)用●PWM●負(fù)載開(kāi)關(guān)UIS測(cè)試！的?Vds測(cè)試！標(biāo)記和引腳分配的示意圖
注：1。重復(fù)額定值：脈沖寬度受高接結(jié)溫度的限制。 2.表面安裝在FR4板上，t≤10秒。 3.脈沖測(cè)試：脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%。 4.由設(shè)計(jì)，不受生產(chǎn)的約束5。EAS條件：Tj=25℃、VDD=20V、VG=10V、L=1mH、Rg=25Ω、I

驅(qū)動(dòng)ICVIP推薦信息

深圳市大東微電子有限公司 4年

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