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功率管發(fā)熱
關于這個問題,也見到過有人在論壇發(fā)過貼。
功率管的功耗分成兩部分,開關損耗和導通損耗。
要注意,大多數(shù)場合特別是LED市電驅動應用,開關損害要遠大于導通損耗。
開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動能力和工作頻率有關,所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個方面解決:A、不能片面根據(jù)導通電阻大小來選擇MOS功率管,因為內(nèi)阻越小,cgs和cgd電容越大。
頻率與導通損耗也成正比,所以功率管發(fā)熱時,要想想是不是頻率選擇的有點高。
想辦法降低頻率吧!不過要注意,當頻率降低時,為了得到相同的負載能力,峰值電流必然要變大或者電感也變大,這都有可能導致電感進入飽和區(qū)域。
開關次數(shù)的影響:多數(shù)電源設有電容器輸入型的整流回路,在通入電源時,會產(chǎn)生浪涌電流,導致開關接點疲勞,引發(fā)接觸電阻增大及吸附等問題。理論上認為,在電源期望壽命期間,開關的通斷次數(shù)約有10000次。
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