真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空電阻加熱蒸發(fā)，電子槍加熱蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積，離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看（也就是1/10波長作為單位，約為100A），真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi)，也就是說對于薄膜的光學(xué)特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。 但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，具體控制因素下面會根據(jù)不同鍍膜給出詳細解釋。

化學(xué)組分上的均勻性： 就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué)，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。 具體因素也在下面給出。

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真空鍍膜設(shè)備主要指需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括多弧離子真空鍍膜設(shè)備，真空離子蒸發(fā)，光學(xué)鍍膜機，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。真空鍍膜的工作原理是膜體在高溫下蒸發(fā)落在工件表面結(jié)晶。由于空氣對蒸發(fā)的膜體分子會產(chǎn)生阻力造成碰撞使結(jié)晶體變得粗糙無光，所以在高真空下才能使結(jié)晶體細密光亮，如果真空度不高結(jié)晶體就會失去光澤結(jié)合力也很差。早期真空鍍膜是依靠蒸發(fā)體自然散射，結(jié)合差工效低光澤差?，F(xiàn)在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發(fā)分子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜，解決了過去自然蒸發(fā)無法加工的膜體品種，如鍍鈦鍍鋯等等。
真空鍍膜系統(tǒng)用途：主要用于太陽能電池鈣鈦礦、OLED和PLED、半導(dǎo)體制備等實驗研究與應(yīng)用?，F(xiàn)有的真空鍍膜機，主要用于一些放氣量較少的普通玻璃上鍍膜，由于大面積有機玻璃放氣量較大，熱變形溫度低，剛性低，因此現(xiàn)有的真空鍍膜機無法鍍制大面積有機玻璃。現(xiàn)有的鍍膜機蒸發(fā)源間呈正方形分布，這樣鍍出的膜層均勻性差，無法大面積有機玻璃在鍍制過程中不變形。為了克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種真空鍍膜系統(tǒng)，本系統(tǒng)由真空鍍膜系統(tǒng)和真空手套箱系統(tǒng)集成而成，可在高真空蒸鍍腔室中完成薄膜蒸鍍，并在手套箱高純惰性氣體氛圍下進行樣品的存放、制備以及蒸鍍后樣品的檢測。
蒸發(fā)鍍膜與真空手套箱組合，實現(xiàn)蒸鍍、封裝、測試等工藝全封閉制作，使整個薄膜生長和器件制備過程高度集成在一個完整的可控環(huán)境氛圍的系統(tǒng)中，消除有機大面積電路制備過程中大氣環(huán)境中不穩(wěn)定因素影響，保障了、大面積有機光電器件和電路的制備。