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通信IC回收
據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)日前發(fā)布的一份預測報告顯示，世界半導體市場未來三年將保持兩位數(shù)的增長，這份報告還表明，全球半導體業(yè)之所以能夠復蘇，通信產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展功不可沒，近年來通信集成電路IC芯片的需求大幅度增長，給全球半導體業(yè)注入了新的活力。在近兩年里，三網(wǎng)融合的大趨勢有力地推動了芯片業(yè)的發(fā)展，通信芯片在移動通信、無線Internet和無線數(shù)據(jù)傳輸業(yè)的發(fā)展，開始超過了PC機芯片的發(fā)展。IDC的預測，通信IC芯片，尤其是支持第三代移動通信系統(tǒng)的IC芯片，將成為21世紀初全球半導體芯片業(yè)大的應用市場。

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電容回收
法拉電容又叫雙電層電容器、黃金電容、超級電容器，是從上個世紀七八十年代發(fā)展起來的一種化學元件。超級電容器通過極化電解質(zhì)來儲能，但不發(fā)生化學反應，而且儲能過程是可逆的，也正因為此超級電容器可以反復充放電數(shù)十萬次。法拉電容金額普通電容的區(qū)別是容量上的差別。普通電容器容量大在1萬~4萬微法，超級電容器大容量可達數(shù)千法拉，1法拉=100萬微法，所以超級電容又叫做法拉電容。

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繼電器回收
繼電器（英文名稱：relay）是一種電控制器件，是當輸入量（激勵量）的變化達到規(guī)定要求時，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路）之間的互動關(guān)系。通常應用于自動化的控制電路中，它實際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護、轉(zhuǎn)換電路等作用。

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可控硅回收
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。

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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

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IC芯片回收是指將廢棄的IC（集成電路）芯片進行回收和再利用的過程。由于IC芯片中包含有寶貴的金屬和其他材料，回收可以有效地降低資源浪費，減少環(huán)境污染。
IC芯片回收的過程主要包括以下幾個步驟：
1. 收集：回收公司或機構(gòu)會收集廢棄的IC芯片，可以通過回收站、廢品回收中心、電子垃圾回收站等途徑進行收集。
2. 分類：收集到的IC芯片會進行分類，根據(jù)不同種類的芯片進行分揀，以便后續(xù)的處理和利用。
3. 處理：對于回收的IC芯片，會進行處理，包括去除外部封裝材料、分離金屬和非金屬部分。
手機ic芯片回收
手機芯片通常是指應用于手機通訊功能的芯片，包括基帶、處理器、協(xié)處理器、RF、觸摸屏控制器芯片、Memory、處理器、無線IC和電源管理IC等。目前主要手機芯片平臺有MTK、ADI、TI、AGERE、ST-NXP Wireless、INFINEON、SKYWORKS、SPREADTRUM、Qualcomm等。

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收購驅(qū)動IC芯片需要考慮多方面因素，例如市場需求、供應商信譽、價格等。同時，還需要了解相關(guān)的技術(shù)和行業(yè)趨勢，以便做出明智的決策。
二極管回收
二極管，（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。
早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內(nèi)部有一個PN結(jié)兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場。當外加電壓等于零時，由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。
早期的二極管包含“貓須晶體（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（Thermionic Valves）”)?，F(xiàn)今普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。

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IC回收
IC芯片(Integrated Circuit集成電路)是將大量的微電子元器件(晶體管、電阻、電容等)形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。而今幾乎所有看到的芯片，都可以叫做IC芯片。
集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路為杰克·基爾比（基于鍺的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅的集成電路）。當今半導體工業(yè)大多數(shù)應用的是基于硅的集成電路。

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芯片在使用過程中，電子在不停撞擊著金屬銅，把它推向一側(cè)，另導線斷裂。熱載流子會撞擊柵極氧化層，令其損壞，導致器件失效，即所謂的HCI。在高溫下，介電層會慢慢的失效，導致本來隔離的兩個部分之間發(fā)生短路，所謂的TDDB。也就是說芯片也是有壽命的，芯片就是會壞的。
三極管回收
三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關(guān)。
三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。