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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長(zhǎng)方法，用直拉法生長(zhǎng)單晶的設(shè)備和工藝比較簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。江南電力光伏科技有限，引進(jìn)消化吸收國(guó)外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽(yáng)能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長(zhǎng)爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長(zhǎng)爐（TDR85/95/105-JN）單晶硅生長(zhǎng)爐（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自動(dòng)晶體生長(zhǎng)爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長(zhǎng)P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)單晶硅棒。

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因此在投資單晶生長(zhǎng)企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長(zhǎng)設(shè)備，配置出合理的熱場(chǎng)，從而保生產(chǎn)出來(lái)的單晶的品質(zhì)。在晶體生長(zhǎng)分析與設(shè)計(jì)中，實(shí)驗(yàn)與數(shù)值仿真是相輔相成的，其過程可以分為兩個(gè)部分：（1）在階段,利用引上法晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)來(lái)進(jìn)行數(shù)值模擬參數(shù)的調(diào)整（2）在二階段,利用數(shù)值模擬是用來(lái)確定的晶體生長(zhǎng)工藝參數(shù)。