回收芯片不僅可以減少資源消耗，還可以減少對環(huán)境的污染和能源的浪費(fèi)?；厥招酒梢员苊鈴U棄芯片對環(huán)境造成的污染，同時(shí)也可以減少新芯片的生產(chǎn)和能源消耗。

長期回收電子、二三極管、內(nèi)存、單片機(jī)、模塊,顯卡、網(wǎng)卡、芯片、顯示屏、液晶系列、電腦配件系列、手機(jī)配件系列、手機(jī)ＩＣ、手機(jī)主板、手機(jī)液晶屏、手機(jī)按鍵，倉庫積壓、內(nèi)存條系列、電腦IC、通訊IC、數(shù)碼IC、安防IC、1工IC，IC:K9F系列、南北橋、ATMEL/PIC系列單片機(jī)、SAA系列、XC系列、RT系列、TDA系列、TA系列，手機(jī)主控IC，內(nèi)存卡、字庫、藍(lán)牙芯片、功放IC、電解電容、晶振、變壓器、LED發(fā)光管、 繼電器等一切電子元件。

晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N表示在高
純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電，而p是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導(dǎo)電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都
是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。
對于NPN管，它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱
為發(fā)射極。
（Emitter）、基極b(Base)和集電極c(Collector)。
當(dāng)b點(diǎn)電位e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí)，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，而C點(diǎn)電位b點(diǎn)電位幾伏時(shí)，集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要基極電源Eb。
意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時(shí)基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流
子（電子）及基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱
為發(fā)射極電流了。
由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合，被復(fù)合
掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補(bǔ)給，從而形成了基極電流Ibo.根據(jù)電流連續(xù)性原理得