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電子呆料、電子元器件在當(dāng)今5G高速網(wǎng)絡(luò)時(shí)代會(huì)有一大批被淘汰，為什么呢？從5G網(wǎng)絡(luò)自身的運(yùn)算速度來說，是上個(gè)時(shí)代主流網(wǎng)絡(luò)4G的上百倍，在如此快速的轉(zhuǎn)換、運(yùn)行的環(huán)境下，勢(shì)必要求各個(gè)元器件達(dá)到更高的標(biāo)準(zhǔn)，像運(yùn)算速度慢、能耗高、延時(shí)高等的一些問題使老一代的電子元器件無法勝任5G時(shí)代的要求。

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可控硅回收
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。

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芯片在使用過程中，電子在不停撞擊著金屬銅，把它推向一側(cè)，另導(dǎo)線斷裂。熱載流子會(huì)撞擊柵極氧化層，令其損壞，導(dǎo)致器件失效，即所謂的HCI。在高溫下，介電層會(huì)慢慢的失效，導(dǎo)致本來隔離的兩個(gè)部分之間發(fā)生短路，所謂的TDDB。也就是說芯片也是有壽命的，芯片就是會(huì)壞的。
三極管回收
三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。