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否則也沒有可見痕跡。

為加工更細的線寬，EUV(極紫外)光刻技術(shù)或電子束光刻技術(shù)將替代目前的193nm浸沒式光刻技術(shù)。從經(jīng)濟生產(chǎn)規(guī)模出發(fā)，采用18英寸(450nm)晶圓和建設(shè)單片晶圓全自動生產(chǎn)線或?qū)⑹切碌慕鉀Q方案。可以想象到5/3nm及以下特征尺寸時，半導(dǎo)體芯片工藝又將進入一個相對全新的時代。