研磨玻璃粉也是需要高硬度氧化鋁球，高硬度的氧化鋁球研磨玻璃產(chǎn)生的雜質(zhì)比較少，能提高玻璃的質(zhì)量。由于其顏色非常白，石英粉也白，所以在研磨的過程中不會(huì)對(duì)石英粉造成污染。石英粉硬度比較高，所以需要硬度比較高的氧化鋁球，氧化鋁球的硬度跟氧化鋁含量有關(guān)，一般采用高含量氧化鋁球進(jìn)行研磨。

的現(xiàn)代凈水活性氧化鋁在不定形耐火材料配料中能帶來以下好處：提高坯體密度、流動(dòng)性、強(qiáng)度，提高二次莫來石生成量等，降低加水量和氣孔率。此外，活性氧化鋁還能做吸附劑，干燥劑，吸水量大、干燥速度快，能再生（400 -500K烘烤）以及吸水不膨脹，不開裂，不變形。

現(xiàn)代凈水活性氧化鋁對(duì)氣體、水蒸氣和某些液體的水分有選擇吸附本領(lǐng)。吸附飽和后可在約175-315℃加熱除去水而復(fù)原再生。吸附和復(fù)原再生可進(jìn)行多次。除用作干燥劑外，還可從污染的氧、氫、二氧化碳、天然氣等中吸附潤滑油的蒸氣。并可用作催化劑和催化劑載體和色層分析載體。

塑料編織袋， 根據(jù)不同生產(chǎn)廠商，規(guī)格：25kg/50kg/噸包，產(chǎn)品應(yīng)存放在室內(nèi)干燥處。 使用前切勿打開包裝，以免吸潮，影響使用效果。

個(gè)氧化鋁工業(yè)生產(chǎn)法——蘇打燒結(jié)法就是1856——1860年在這里研究出來的。1858年呂·查得·里提出鋁土礦—蘇打燒結(jié)法生產(chǎn)氧化鋁。由于在燒結(jié)過程中鋁土礦中的Al203，、SiO2將與蘇打反應(yīng)，生成氧成不溶性的鋁硅酸鈉，造成氧化鋁和蘇打的大量損失。1880年由米列爾提出往蘇打、鋁土礦爐料中添加石灰石，使得燒結(jié)過程不生成或很少生成鋁硅酸鈉，大大減少了氧化鋁和蘇打的損失;后又改為添加石灰，以至發(fā)展成為今天的堿—石灰燒結(jié)法。這一方法是目前處理高硅鋁土礦生產(chǎn)氧化鋁的主要工業(yè)生產(chǎn)方法，1889—1892年奧地利人K·J·拜耳發(fā)明了甩苛性堿溶液直接浸出鋁土礦生產(chǎn)氧化的拜耳法，為氧化鉛的大規(guī)模生產(chǎn)和迅速發(fā)展開辟了道路。此法用在處理低硅鋁土礦，特別是處理三水鋁石型鋁土礦，其經(jīng)濟(jì)效果遠(yuǎn)非其它生產(chǎn)方法所能比擬。燒結(jié)法和拜耳法是目前生產(chǎn)氧化鋁的主要工業(yè)方法。

根據(jù)氧化鋁的物理性質(zhì)，通常又可將氧化鋁分為砂狀、面粉狀和中間狀三種類型。這三種類型的氧化鋁在物理性質(zhì)上有較大的差別。砂狀氧化鋁具有較小的容重，較大的比表面積，略小的安息角，含較少量的a-Al2O3，粗粒較多且均勻，強(qiáng)度較高。面粉狀氧化鋁則有較大的容重，小的比表面積，含較多的a-Al2O3，細(xì)粒較多，強(qiáng)度差。而中間狀氧化鋁的物理性質(zhì)介于二者之間。各種氧化鋁的物理性質(zhì)見表1-3。

顆粒粒徑：粒徑越小，吸附容量越高，但粒徑越小，顆粒強(qiáng)度越低，影響其使用壽命。
（2）原水pH值：當(dāng)pH值大于5時(shí)，pH值越低，活性氧化鋁吸附容量越高。
（3）原水初始氟濃度：初始氟濃度越高，吸附容量較大。
（4）原水堿度：原水中重碳酸根濃度高，吸附容量將降低。
（5）氯離子和硫酸根離子。
（6）砷的影響：活性氧化鋁對(duì)水中的砷有吸附作用，砷在活性氧化鋁上的積聚造成對(duì)氟離子吸附容量的下降，且使再生時(shí)洗脫砷離子比較困難。

再生劑采用氫氧化鈉溶液，也可采用硫酸鋁溶液。氫氧化鈉再生劑的溶液濃度采用0.75%～1%，氫氧化鈉消耗量可按每去除1g氟化物所需8～10g固體氫氧化鈉計(jì)算，再生液用量為濾料體積的3～6倍。硫酸鋁再生劑的溶液濃度采用2～3%，硫酸鋁的消耗量可按每去除1g氟化物需60～80g固體硫酸鋁計(jì)算。

吸附劑及催化劑載體用氧化鋁是一種精細(xì)化學(xué)品，也是一種化學(xué)品。不同用途對(duì)物性結(jié)構(gòu)的要求不同，這就是其性強(qiáng)、品種牌號(hào)多的緣故。據(jù)統(tǒng)計(jì)，用氧化鋁作催化劑及載體的數(shù)量，比分子篩、硅膠、活性炭、硅藻土及硅鋁膠的催化劑總用量還多。由此可見氧化鋁在催化劑及載體中的舉足輕重的地位。其中η-Al2O3和γ-Al2O3又是重要的催化劑及載體，它們都是含有缺陷的尖晶石結(jié)構(gòu)，兩者的區(qū)別是：四面體的晶體結(jié)構(gòu)不同（γ>η），六方層的堆排規(guī)整性不同（γ>η）以及Al—O鍵距不同（η>γ，差值0.05～0.1nm）。