磁控濺射原理：鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

主要應(yīng)用
編輯
濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。
分類
根據(jù)形狀可分為方靶，圓靶，異型靶
根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材
根據(jù)應(yīng)用不同又分為半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導(dǎo)陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等
根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域分為微電材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導(dǎo)電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材
鋯板，鋯圓靶，鋯管靶，鋯靶，鈦靶，鉻靶

鋯作為與氧有親和力的活潑金屬，氧化膜的耐蝕性能決定了其可以勝任多重腐蝕環(huán)境。
一、工業(yè)純鋯在所有的沸騰的所有濃度鹽酸中，腐蝕速率均小于0.025mm/a。
二、在小于70%的硫酸中鋯具有的耐蝕性。此外由于不銹鋼和鎳合金不能在高溫、20%的硫酸和40-60%的沸騰溫度以下的硫酸范圍內(nèi)使用，故鋯在硫酸環(huán)境具有無可替代的作用。
三、在200℃以下，不大于90%的硝酸中，鋯具有良好的耐蝕性。但應(yīng)注意鋯在硝酸中的應(yīng)力腐蝕開裂敏感性。
四、鋯在所有濃度甚至沸騰的苛性堿溶液中都耐腐蝕。耐蝕性超過了鉭、鈮、鈦。