磁控濺射原理：鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還司進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

主要應用
編輯
濺射靶材主要應用于電子及信息產業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應用于玻璃鍍膜領域；還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。
分類
根據形狀可分為方靶，圓靶，異型靶
根據成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材
根據應用不同又分為半導體關聯陶瓷靶材、記錄介質陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等
根據應用領域分為微電材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材
鋯板，鋯圓靶，鋯管靶，鋯靶，鈦靶，鉻靶

合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。 [1]
鋯靶，鉿靶，鋯管靶，鋯板靶，鈦板靶，鈦板

金屬鋯靶材，金屬鉿靶，金屬鈦靶材
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。

名　　稱：鋯管
規(guī)　　格：Φ8.0—89.0（外直徑）╳ 1.0—10.0（壁厚）╳ L（長）mm
狀　　態(tài)：退火
主要性能： 抗拉強度HB>379Mpa 導熱率=0.040Cal/cm2 （可以彎成需要的形狀）
應用領域：油箱盤管、殼管熱交換器、熱虹吸管、蒸發(fā)器、卡口加熱器和人造絲絲囊、管殼式換熱器,列管式換熱器,加熱管,管式預熱器、化工設備反應釜盤管等。
例如：在蒸氣壓力為239000Pa，溫度為373K，管中流體含5%硫酸、3%、6%硫酸鈉的條件下，用鋯盤管代替鉛盤等，使用壽命在10年以上。

鋯管-----玻璃鋼反應釜有如下優(yōu)點：
1、使用壽命長，至少3年以上。
2、免維護，省卻設備的維修費用及停工成本費用。
3、高工效，因鋯金屬導熱性能強，其加熱及降溫速度快。5方母液、8平方換熱面積，從120℃降至40℃不超過90分鐘。蒸汽與冷卻水可隨時切換。
4、安全性能高，由于玻璃鋼的柔韌性，不會像普通釜那樣由于掉黏而被迅速腐蝕，產生漏液的危險。
5、耐腐蝕性能更優(yōu)，能耐住氣態(tài)氯及氣態(tài)氫的混合腐蝕，在雙甘膦及草甘膦的生產中優(yōu)勢更為明顯。