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電容回收
法拉電容又叫雙電層電容器、黃金電容、超級電容器，是從上個世紀七八十年代發(fā)展起來的一種化學元件。超級電容器通過極化電解質來儲能，但不發(fā)生化學反應，而且儲能過程是可逆的，也正因為此超級電容器可以反復充放電數(shù)十萬次。法拉電容金額普通電容的區(qū)別是容量上的差別。普通電容器容量大在1萬~4萬微法，超級電容器大容量可達數(shù)千法拉，1法拉=100萬微法，所以超級電容又叫做法拉電容。

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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

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芯片在使用過程中，電子在不停撞擊著金屬銅，把它推向一側，另導線斷裂。熱載流子會撞擊柵極氧化層，令其損壞，導致器件失效，即所謂的HCI。在高溫下，介電層會慢慢的失效，導致本來隔離的兩個部分之間發(fā)生短路，所謂的TDDB。也就是說芯片也是有壽命的，芯片就是會壞的。
三極管回收
三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。
三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。