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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。

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所述主爐室內(nèi)設(shè)置有主爐室坩堝，所述下驅(qū)動裝置和主爐室坩堝相連，以便通過下驅(qū)動裝置動主爐室坩堝升降，所述副爐室和主爐室相連通，所述上驅(qū)動裝置安裝在副爐室的上端，以便通過上驅(qū)動裝置驅(qū)動拉晶，它還包括：外部加料器，所述外部加料器內(nèi)設(shè)置有加料腔，所述加料腔內(nèi)設(shè)置有加料坩堝，所述外部加料器的蓋裝有上蓋；用于熔化硅料的外部化料器，所述外部化料器的和加料坩堝相連通，所述外部化料器的底端和主爐室坩堝相連通，以便將硅料加加料坩堝后，硅料漏外部化料器后被外部化料器熔化，被熔化后的硅料流主爐室坩堝內(nèi)。進一步提供了外部化料器的具體結(jié)構(gòu)，所述外部化料器包括裝料器、化料器坩堝和用于給化料器坩堝加熱以便硅料熔化的熱場，所述裝料器和加料坩堝相連通，所述化料器坩堝和裝料器相連通，所述熱場套裝在化料器坩堝的外側(cè)，便硅料依次進入加料坩堝、裝料器和化料器坩堝，并在化料器坩堝內(nèi)經(jīng)熱場熔化后又進入主爐室坩堝。