DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。

可實現(xiàn)高可靠、高導(dǎo)電的連接的需求，很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模組制造商，在汽車模組中均或多或少的采用該燒結(jié)銀DTS技術(shù)，

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。可分為功率IC和功率分立器件兩大類，二者集成為功率模塊（包含MOSFET/IGBT模塊、IPM模塊、PIM模塊）。隨著電力電子模塊的功率密度、工作溫度及其對可靠性的要求越來越高，當(dāng)前的封裝材料已經(jīng)達(dá)到了應(yīng)用極限。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能夠?qū)㈦娏﹄娮幽K的使用壽命延長50多倍，并確保芯片的載流容量提高50%以上。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）和金，銀，銅表面剪切強(qiáng)度都很大。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法為：Pick & Place；