在可再生能源逐漸替代石油能源的今天，進行太陽能電池板的長期回收基礎設施建設對加快建設循環(huán)經(jīng)濟、真正實現(xiàn)可再生能源和經(jīng)濟的可持續(xù)發(fā)展，具有重要的意義。

硅具有優(yōu)良的半導體電學性質(zhì)。禁帶寬度適中，為1.12電子伏。載流子遷移率較高，電子遷移率為1350厘米2/伏·秒，空穴遷移率為480厘米2/伏·秒。本征電阻率在室溫(300K)下高達2.3×105歐·厘米,摻雜后電阻率可控制在104～10-4 歐·厘米的寬廣范圍內(nèi)，能滿足制造各種器件的需要。硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命較長,在幾十微秒至1毫秒之間。

熱導率較大。化學性質(zhì)穩(wěn)定，又易于形成穩(wěn)定的熱氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜實現(xiàn)PN結表面鈍化和保護，還可以形成金屬-氧化物-半導體結構,制造MOS場效應晶體管和集成電路。上述性質(zhì)使PN結具有良好特性，使硅器件具有耐高壓、反向漏電流小、、使用壽命長、可靠性好、熱傳導好，并能在200高溫下運行等優(yōu)點。