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實(shí)際上是由電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的,反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷耗盡所需要的時(shí)間。發(fā)生效應(yīng)具備如下三個(gè)條件：①費(fèi)米能級(jí)位b導(dǎo)帶和滿帶內(nèi)；②空間電荷層寬度很窄；簡(jiǎn)并半導(dǎo)體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級(jí)上有交疊的可能性。 集緄緶匪鴰檔奶氐悖 集成電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能很多，任何一部分損壞都無(wú)常工作。我國(guó)許多門(mén)類的電子元器件產(chǎn)量已穩(wěn)居全球位，電子元器件行業(yè)在市場(chǎng)上占據(jù)很重要的地位。如果正向電阻不太大，

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